TNM03K20BX
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
TNM03K20BX
特性：TrenchFET功率MOSFET， 额定1.8V。 栅源ESD保护。 高端开关。 低导通电阻：0.4Ω/mΩ。 低阈值：0.7V（典型值）。 快速开关速度：10 ns。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
品牌
晶扬电子
封装
DFN1006-3L
库存
4,670
货期
现货
TNM03K20BX参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4670 |
TNM03K20BX概述
特性：TrenchFET功率MOSFET， 额定1.8V。 栅源ESD保护。 高端开关。 低导通电阻：0.4Ω/mΩ。 低阈值：0.7V（典型值）。 快速开关速度：10 ns。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
TNM03K20BX特性
暂无产品特性。
TNM03K20BX应用领域
暂无应用领域。