TNM02K100MX
IC
SOT-223
可供量大可议
TNM02K100MX
特性：100V, 3A。 RDS(ON) = 250mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 260mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计。 完全表征的雪崩电压和电流。 良好散热的出色封装。 应用：网络。 电池管理系统（BMS）
品牌
晶扬电子
封装
SOT-223
库存
2,715
货期
现货
TNM02K100MX参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2715 |
TNM02K100MX概述
特性：100V, 3A。 RDS(ON) = 250mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 260mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计。 完全表征的雪崩电压和电流。 良好散热的出色封装。 应用：网络。 电池管理系统（BMS）
TNM02K100MX特性
暂无产品特性。
TNM02K100MX应用领域
暂无应用领域。