TNM02K100KX
IC
SOT-23
可供量大可议
TNM02K100KX
特性：100V, 2.2A。 RDS(ON) = 250mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 260mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计。 经过全面特性分析的雪崩电压和电流。 利于良好散热的出色封装。 应用：不间断电源(UPS)。 硬开关和高频电路
品牌
晶扬电子
封装
SOT-23
库存
2,960
货期
现货
TNM02K100KX参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | 晶扬电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2960 |
TNM02K100KX概述
特性：100V, 2.2A。 RDS(ON) = 250mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 260mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计。 经过全面特性分析的雪崩电压和电流。 利于良好散热的出色封装。 应用：不间断电源(UPS)。 硬开关和高频电路
TNM02K100KX特性
暂无产品特性。
TNM02K100KX应用领域
暂无应用领域。