TN2640K4-G

低阈值增强模式（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有 MOS 结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 适合用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。