TN2540N3-G

使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺， 结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗及正温度系数。 具备 MOS 结构的特性， 无热失控和热致二次击穿问题。