TN2106K-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
TN2106K-HXY
此场效应管为N型， 电流0.3A， 适合低功率需求。 电压60V， 可在特定电路环境下稳定工作。 内阻典型值1000mR， 能量损耗较高。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于一些小型电子设备的电流调控。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,460
货期
现货
TN2106K-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1460 |
TN2106K-HXY概述
此场效应管为N型， 电流0.3A， 适合低功率需求。 电压60V， 可在特定电路环境下稳定工作。 内阻典型值1000mR， 能量损耗较高。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于一些小型电子设备的电流调控。
TN2106K-HXY特性
暂无产品特性。
TN2106K-HXY应用领域
暂无应用领域。