TN0104N3-G
IC
TO-92
可供量大可议
TN0104N3-G
TN0104低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合造就的器件兼具双极型晶体管的功率处理能力， 以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。 作为所有MOS结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌
MICROCHIP
封装
TO-92
库存
9
货期
现货
TN0104N3-G参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
TN0104N3-G概述
TN0104低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合造就的器件兼具双极型晶体管的功率处理能力， 以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。 作为所有MOS结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
TN0104N3-G特性
暂无产品特性。
TN0104N3-G应用领域
暂无应用领域。