TLV9002IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLV9002IDR
运算放大器 2V/us 双路 5pA 1MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
26,080
货期
现货
TLV9002IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 放大器数 | 2 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 输入失调电压(Vos) | 1.6mV |
| 压摆率(SR) | 2V/us |
| 输入失调电流(Ios) | 2pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 86dB |
| 输出电流 | 40mA |
| 单电源电压 | 1.8V~5.5V |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 26,080 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V |
| 增益带宽积(GBW) | 1MHz |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 600nV/℃ |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA |
| 输入电压噪声密度(eN) | 4.7nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 60uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -2.75V~-900mV； 900mV~2.75V |
TLV9002IDR概述
运算放大器 2V/us 双路 5pA 1MHz
TLV9002IDR特性
暂无产品特性。
TLV9002IDR应用领域
暂无应用领域。