TLV7211IDR
自营可供
IC
SOIC-8
TLV7211IDR
比较器 TLV7211IDR SOIC-8
品牌
TI
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
22+
TLV7211IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 22+ |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 0.04pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 82dB |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 单电源 | 2.7V~15V |
| 输入失调电流(Ios) | 0.02pA |
| 功能特性 | 失效安全功能 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 15mV |
| 传播延迟(tpd) | 10us |
| 输出类型 | 推挽 |
| 静态电流(Iq) | 7uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 16V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1uV/℃ |
| 响应时间(tr) | 0.3us |
TLV7211IDR概述
比较器 TLV7211IDR SOIC-8
TLV7211IDR特性
- 低偏置电流：输入偏置电流（Ib）仅0.04pA， 是同类产品中极低的水平， 可直接匹配高阻抗信号源（如传感器、光电二极管）， 无需额外缓冲电路
- 轨到轨输入：支持接近电源轨（Vss/Vdd）的信号检测， 充分利用电源电压范围， 避免电平偏移需求
- 稳定失调性能：输入失调电压（Vos）15mV， 失调电压温漂（Vos TC）1μV/℃， 宽温下保持信号比较准确性。
- 静态电流（Iq）仅7μA， 即使连续工作也能显著降低系统功耗， 适配电池供电的便携式设备（如手持测试仪、无线传感器节点）， 延长电池续航。
- TLV7211IDR相比同类器件的核心优势
- 极致低功耗：7μA静态电流， 适配电池供电场景
- 高输入兼容性：0.04pA偏置电流+轨到轨输入， 匹配高阻信号源
- 灵活适配：宽电源/宽温范围+推挽输出， 简化系统设计
- 高性价比：TI成熟工艺， 外围电路简单， 降低系统总成本。
- 综上， TLV7211IDR是一款平衡功耗、性能与成本的单路比较器， 可广泛应用于工业、消费电子、医疗等领域， 是需要低功耗设计的理想选择。
TLV7211IDR应用领域
- TLV7211IDR的参数特性使其适配以下主流场景
- 电池供电设备：手持气象仪、便携式医疗检测设备， 利用7μA低功耗延长续航
- 工业控制电路：温度/压力传感器信号比较、电机转速检测， 宽温（-40℃~+85℃）适配工业环境
- 高阻抗信号比较：光电传感器输出、微弱生物电信号检测， 0.04pA偏置电流避免信号衰减
- 电平检测与保护：电池电量检测（低电压阈值判断）、过压/欠压保护， 推挽输出简化电路
- 简单时序控制：脉冲宽度监测、逻辑电平转换， 响应性能满足基本时序需求。