TLV3502AIDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLV3502AIDR
比较器 6mV 10ns 6.5mV 10pA
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
1,596
货期
现货
TLV3502AIDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 2pA |
| 滞后电压(Vhys) | 6mV |
| 输出类型 | 推挽 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源 | 2.7V~5.5V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5uV/℃ |
| 响应时间(tr) | 1.5ns |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 1,596 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV |
| 传播延迟(tpd) | 4.5ns |
| 共模抑制比(CMRR) | 70dB |
| 输出模式 | TTL； CMOS |
| 静态电流(Iq) | 3.2mA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -2.75V~-1.35V； 1.35V~2.75V |
| 输入失调电流(Ios) | 2pA |
| 功能特性 | 过压保护 |
TLV3502AIDR概述
比较器 6mV 10ns 6.5mV 10pA
TLV3502AIDR特性
暂无产品特性。
TLV3502AIDR应用领域
暂无应用领域。