TLV2888DR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLV2888DR
Dual, 36V, 15MHz zero-drift CMOS precision operational amplifier
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
756
货期
现货
TLV2888DR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 25+ |
| 放大器数 | 双路 |
| 双电源(Vee~Vcc) | -18V~-2.25V； 2.25V~18V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10nV/℃ |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 共模抑制比(CMRR) | 150dB |
| 输入偏置电流(Ib) | 50pA |
| 输出电流 | 42mA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 分类 | 精密运放 |
|---|---|
| 库存 | 756 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 单电源电压 | 4.5V~36V |
| 输入失调电压(Vos) | 3uV |
| 增益带宽积(GBW) | 14MHz |
| 压摆率(SR) | 40V/us |
| 输入电压噪声密度(eN) | 7.5nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 1.5mA |
| 输入失调电流(Ios) | 100pA |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制； ESD保护； 零漂移/自动稳零； 反相位输入保护 |
TLV2888DR概述
Dual, 36V, 15MHz zero-drift CMOS precision operational amplifier
TLV2888DR特性
暂无产品特性。
TLV2888DR应用领域
暂无应用领域。