TLV1822QDRQ1
IC
SOIC(D)| 8
可供量大可议
TLV1822QDRQ1
Automotive, dual, micropower high-voltage open-drain comparator
品牌
TI
封装
SOIC(D)| 8
库存
1,460
货期
现货
TLV1822QDRQ1参数
| 封装 | SOIC(D)| 8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 23+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 1.2nA |
| 输出类型 | 开漏 |
| 静态电流(Iq) | 5uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1.2uV/℃ |
| 功能特性 | 失效安全功能； ESD保护 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 1,460 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV |
| 传播延迟(tpd) | 420ns |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源 | 2.4V~40V |
| 输入失调电流(Ios) | 0.01pA |
TLV1822QDRQ1概述
Automotive, dual, micropower high-voltage open-drain comparator
TLV1822QDRQ1特性
暂无产品特性。
TLV1822QDRQ1应用领域
暂无应用领域。