TLPN137(F
IC
DIP-8
可供量大可议
TLPN137(F
由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成， 采用DIP8封装。 具有内部法拉第屏蔽， 可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
品牌
TOSHIBA
封装
DIP-8
库存
898
货期
现货
TLPN137(F参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 898 |
TLPN137(F概述
由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成， 采用DIP8封装。 具有内部法拉第屏蔽， 可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
TLPN137(F特性
暂无产品特性。
TLPN137(F应用领域
暂无应用领域。