TLP3052A(TP1, F
IC
SO-6,5LEAD
可供量大可议
TLP3052A(TP1, F
光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。 采用DIP6封装， 保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。 因此， 该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
品牌
TOSHIBA
封装
SO-6,5LEAD
库存
1,053
货期
现货
TLP3052A(TP1, F参数
| 封装 | SO-6,5LEAD |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 可控硅输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1053 |
TLP3052A(TP1, F概述
光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。 采用DIP6封装， 保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。 因此， 该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
TLP3052A(TP1, F特性
暂无产品特性。
TLP3052A(TP1, F应用领域
暂无应用领域。