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TLP2962F(TP4, F)
IC

SO-8

可供量大可议

TLP2962F(TP4, F)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。 保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。 采用DIP8封装。 有内部法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。 满足8mm的PC板间距要求。

品牌

TOSHIBA

封装

SO-8

库存

20

货期

现货

TLP2962F(TP4, F)参数

封装SO-8
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类晶体管输出光耦
库存20

TLP2962F(TP4, F)概述

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。 保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。 采用DIP8封装。 有内部法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。 满足8mm的PC板间距要求。

TLP2962F(TP4, F)特性

暂无产品特性。

TLP2962F(TP4, F)应用领域

暂无应用领域。

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