TLP291(V4GBTP, E
IC
SOIC-4
可供量大可议
TLP291(V4GBTP, E
由光电晶体管组成, 与砷化镓红外发射二极管光耦合。 采用SO4封装, 是非常小而薄的耦合器。 保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压(3750Vrms), 适用于高密度表面贴装应用, 如小型开关电源和可编程控制器。
品牌
TOSHIBA
封装
SOIC-4
库存
2,052
货期
现货
TLP291(V4GBTP, E参数
| 封装 | SOIC-4 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2052 |
TLP291(V4GBTP, E概述
由光电晶体管组成, 与砷化镓红外发射二极管光耦合。 采用SO4封装, 是非常小而薄的耦合器。 保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压(3750Vrms), 适用于高密度表面贴装应用, 如小型开关电源和可编程控制器。
TLP291(V4GBTP, E特性
暂无产品特性。
TLP291(V4GBTP, E应用领域
暂无应用领域。
