TLP2768A(TP, E
IC
SO-6-300mil
可供量大可议
TLP2768A(TP, E
东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。 它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。 TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准
品牌
TOSHIBA
封装
SO-6-300mil
库存
46
货期
现货
TLP2768A(TP, E参数
| 封装 | SO-6-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
TLP2768A(TP, E概述
东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。 它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。 TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准
TLP2768A(TP, E特性
暂无产品特性。
TLP2768A(TP, E应用领域
暂无应用领域。