TLP2768A(D4TP4, E

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准。 保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。 具有内部法拉第屏蔽， 可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。