TLP2768A(D4-TP, E
IC
SOIC-6
可供量大可议
TLP2768A(D4-TP, E
由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准。 保证在高达125℃的温度下工作， 电源电压范围为2.7V至5.5V。 具有内部法拉第屏蔽， 保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
品牌
TOSHIBA
封装
SOIC-6
库存
1,792
货期
现货
TLP2768A(D4-TP, E参数
| 封装 | SOIC-6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1792 |
TLP2768A(D4-TP, E概述
由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准。 保证在高达125℃的温度下工作， 电源电压范围为2.7V至5.5V。 具有内部法拉第屏蔽， 保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
TLP2768A(D4-TP, E特性
暂无产品特性。
TLP2768A(D4-TP, E应用领域
暂无应用领域。