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TLP2748(D4-TP, E
IC

SO-6L-300mil

可供量大可议

TLP2748(D4-TP, E

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用厚度为2.3mm(最大值)的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms, 符合加强绝缘的国际安全标准。 可在4.5V至30V的电源电压下工作, 最高工作温度为110℃。 保证低电源电流3mA, 低阈值输入电流1.6mA, 有助于设备节能。 可由微计算机直接驱动, 适用于低输入电流。 探测器具有图腾柱输出级, 具备电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。 采用反相器输出, 另有缓冲输出版本。

品牌

TOSHIBA

封装

SO-6L-300mil

库存

5,094

货期

现货

TLP2748(D4-TP, E参数

封装SO-6L-300mil
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类逻辑输出光耦
库存5094

TLP2748(D4-TP, E概述

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用厚度为2.3mm(最大值)的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms, 符合加强绝缘的国际安全标准。 可在4.5V至30V的电源电压下工作, 最高工作温度为110℃。 保证低电源电流3mA, 低阈值输入电流1.6mA, 有助于设备节能。 可由微计算机直接驱动, 适用于低输入电流。 探测器具有图腾柱输出级, 具备电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。 采用反相器输出, 另有缓冲输出版本。

TLP2748(D4-TP, E特性

暂无产品特性。

TLP2748(D4-TP, E应用领域

暂无应用领域。

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