TLP2748(D4-TP, E
IC
SO-6L-300mil
可供量大可议
TLP2748(D4-TP, E
由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用厚度为2.3mm(最大值)的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms, 符合加强绝缘的国际安全标准。 可在4.5V至30V的电源电压下工作, 最高工作温度为110℃。 保证低电源电流3mA, 低阈值输入电流1.6mA, 有助于设备节能。 可由微计算机直接驱动, 适用于低输入电流。 探测器具有图腾柱输出级, 具备电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。 采用反相器输出, 另有缓冲输出版本。
品牌
TOSHIBA
封装
SO-6L-300mil
库存
5,094
货期
现货
TLP2748(D4-TP, E参数
| 封装 | SO-6L-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 5094 |
TLP2748(D4-TP, E概述
由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用厚度为2.3mm(最大值)的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms, 符合加强绝缘的国际安全标准。 可在4.5V至30V的电源电压下工作, 最高工作温度为110℃。 保证低电源电流3mA, 低阈值输入电流1.6mA, 有助于设备节能。 可由微计算机直接驱动, 适用于低输入电流。 探测器具有图腾柱输出级, 具备电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。 采用反相器输出, 另有缓冲输出版本。
TLP2748(D4-TP, E特性
暂无产品特性。
TLP2748(D4-TP, E应用领域
暂无应用领域。
