TLP2745(D4-TP, E

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。 采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。 保证隔离电压为5kVrms， 符合加强绝缘的国际安全标准。 可在4.5V至30V的电源电压下工作， 最高工作温度为110℃。 保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA， 有助于设备节能。 可由微计算机直接驱动， 探测器具有图腾柱输出级， 具有电流源和吸收能力。 具有内部法拉第屏蔽， 保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs， 有缓冲输出。