TLP268J(V4-TPL, E
IC
SO-6-300mil
可供量大可议
TLP268J(V4-TPL, E
由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。 采用 SO6 封装， 保证最小爬电距离为 5.0mm， 最小电气间隙为 5.0mm， 最小绝缘厚度为 0.4mm。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
品牌
TOSHIBA
封装
SO-6-300mil
库存
2,994
货期
现货
TLP268J(V4-TPL, E参数
| 封装 | SO-6-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 可控硅输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2994 |
TLP268J(V4-TPL, E概述
由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。 采用 SO6 封装， 保证最小爬电距离为 5.0mm， 最小电气间隙为 5.0mm， 最小绝缘厚度为 0.4mm。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
TLP268J(V4-TPL, E特性
暂无产品特性。
TLP268J(V4-TPL, E应用领域
暂无应用领域。