TLP268J(TPL, E
IC
SOP-4-2.54mm
可供量大可议
TLP268J(TPL, E
由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。 采用SO6封装， 保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-4-2.54mm
库存
2,836
货期
现货
TLP268J(TPL, E参数
| 封装 | SOP-4-2.54mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 可控硅输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2836 |
TLP268J(TPL, E概述
由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。 采用SO6封装， 保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
TLP268J(TPL, E特性
暂无产品特性。
TLP268J(TPL, E应用领域
暂无应用领域。