TLP267J(TPL, E
IC
SOP-4-2.54mm
可供量大可议
TLP267J(TPL, E
由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。 采用SO6封装， 保证爬电距离最小为5.0mm， 电气间隙最小为5.0mm， 内部隔离厚度最小为0.4mm。 因此， 该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-4-2.54mm
库存
5,992
货期
现货
TLP267J(TPL, E参数
| 封装 | SOP-4-2.54mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 可控硅输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 5992 |
TLP267J(TPL, E概述
由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。 采用SO6封装， 保证爬电距离最小为5.0mm， 电气间隙最小为5.0mm， 内部隔离厚度最小为0.4mm。 因此， 该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
TLP267J(TPL, E特性
暂无产品特性。
TLP267J(TPL, E应用领域
暂无应用领域。