TLP266J(TPR, E
IC
SOIC-4
可供量大可议
TLP266J(TPR, E
由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。 采用 SO6 封装， 保证爬电距离最小为 5.0mm， 电气间隙最小为 5.0mm， 绝缘厚度最小为 0.4mm。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
品牌
TOSHIBA
封装
SOIC-4
库存
8
货期
现货
TLP266J(TPR, E参数
| 封装 | SOIC-4 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
TLP266J(TPR, E概述
由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。 采用 SO6 封装， 保证爬电距离最小为 5.0mm， 电气间隙最小为 5.0mm， 绝缘厚度最小为 0.4mm。 因此， 符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
TLP266J(TPR, E特性
暂无产品特性。
TLP266J(TPR, E应用领域
暂无应用领域。