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TLP265J(TPL, E
IC

SOIC-4-175mil

可供量大可议

TLP265J(TPL, E

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。 采用SO6封装, 保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。 因此, 该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

品牌

TOSHIBA

封装

SOIC-4-175mil

库存

16,286

货期

现货

TLP265J(TPL, E参数

封装SOIC-4-175mil
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类可控硅输出光耦
库存16286

TLP265J(TPL, E概述

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。 采用SO6封装, 保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。 因此, 该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

TLP265J(TPL, E特性

暂无产品特性。

TLP265J(TPL, E应用领域

暂无应用领域。

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