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TLP2345(V4-TPL, E
IC

SO-6

可供量大可议

TLP2345(V4-TPL, E

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成, 采用 SO6 封装。 可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作, 最高工作温度为 110℃。 具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流, 有助于设备节能, 可由微电脑直接驱动。 探测器具有图腾柱输出级, 具有电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs, 有缓冲输出, 也有反相器输出版本。

品牌

TOSHIBA

封装

SO-6

库存

1

货期

现货

TLP2345(V4-TPL, E参数

封装SO-6
品牌TOSHIBA(东芝)
批次23+
输入类型DC
隔离电压(Vrms)3.75kV
通道数1
传播延迟 tpLH120ns
输入阈值电流(FH)1.6mA
耗散功率(Pd)100mW
直流反向耐压(Vr)5V
分类逻辑输出光耦
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
工作电压4.5V~30V
CMTI(kV/us)30kV/us
工作温度-40℃~+110℃
传播延迟 tpHL120ns
输出电流50mA
正向压降(Vf)1.55V
正向电流(If)10mA

TLP2345(V4-TPL, E概述

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成, 采用 SO6 封装。 可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作, 最高工作温度为 110℃。 具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流, 有助于设备节能, 可由微电脑直接驱动。 探测器具有图腾柱输出级, 具有电流源和吸收能力。 内部有法拉第屏蔽, 保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs, 有缓冲输出, 也有反相器输出版本。

TLP2345(V4-TPL, E特性

暂无产品特性。

TLP2345(V4-TPL, E应用领域

暂无应用领域。

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