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TLE2144CDWR
IC

SOIC-16-300mil

可供量大可议

TLE2144CDWR

TLE2144 四通道低噪声高速精密运算放大器

品牌

TI

封装

SOIC-16-300mil

库存

10

货期

现货

TLE2144CDWR参数

封装SOIC-16-300mil
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
轨到轨轨到轨输出
输入失调电压(Vos)600uV
压摆率(SR)40V/us
输入电压噪声密度(eN)10.5nV/√Hz@1kHz
输出电流20mA
单电源电压4V~44V
功能特性内置补偿
商品型号TLE2144CDWR
单位个
商品重量1e-06
分类运算放大器
库存10
放大器数4
增益带宽积(GBW)5.9MHz
输入失调电压温漂(Vos TC)1.7uV/℃
输入偏置电流(Ib)2.1uA
共模抑制比(CMRR)85dB
工作温度0℃~+70℃
双电源电压(Vee~Vcc)-22V~-2V; 2V~22V
商品名称低噪声高速精密运算放大器
包装方式编带
商品类型运算放大器

TLE2144CDWR概述

TLE214x 和 TLE214xA 器件是采用互补双极 Excalibur 工艺制造的高性能、内部补偿运算放大器。 TLE214xA 是 TLE214x 的低失调电压版本。 两者均为标准行业产品的引脚兼容升级版。 该设计采用了一个输入级, 可同时实现 10.5 nV/√Hz 的低音频频段噪声(10 Hz 1/f 转角)和对称的 40 V/μs 压摆率, 通常可驱动高达 800 pF 的负载。 由此产生的低失真和高功率带宽在高保真音频应用中至关重要。 在 2 kΩ/100 pF 负载下, 10 V 阶跃信号达到 0.1% 的快速建立时间为 340 ns, 这在快速执行器/定位驱动器中非常有用。 在类似测试条件下, 达到 0.01% 的建立时间为 400 ns。 该器件在高达 10 nF 的容性负载下保持稳定, 不过在如此高的负载水平下, 6 MHz 的带宽会降至 1.8 MHz。 因此, TLE214x 和 TLE214xA 适用于低压降采样保持电路以及长电缆的直接缓冲, 包括 4 mA 至 20 mA 的电流环路。 特殊设计还表现出对集成电路元件固有失配的不敏感性, 最大失调电压为 500 μV, 典型漂移为 1.7 μV/°C。 最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为 85 dB 和 90 dB。 在 ±2 V 至 ±22.8 V 的电源电压范围内, 器件性能相对独立于电源电压。 输入可在 VCC- - 0.3 至 VCC+ - 1.8 V 之间工作而不会引起相位反转, 不过超出较低共模输入范围的每个输入可能会有过大的输入电流流出。 全 NPN 输出级在轻电流负载条件下可提供接近轨到轨的输出摆幅, 即 VCC- - 0.1 至 VCC+ - 1 V。 由于输出电流内部受限, 该器件可承受任一电源的短路情况, 但必须注意确保不超过封装的最大功耗。 两个版本也可用作比较器。 可保持 VCC± 的差分输入而不会损坏器件。 在 TTL 电源电平下, 开环传播延迟通常为 200 ns。 这为器件驱动超出推荐输出摆幅限制时输出级的饱和恢复情况提供了良好的指示。 TLE214x 和 TLE214xA 均提供多种封装形式, 包括行业标准的 8 引脚小外形封装和适用于高密度系统应用的芯片形式。 后缀为 C 的器件工作温度范围为 0°C 至 70°C, 后缀为 I 的器件为 -40°C 至 105°C, 后缀为 M 的器件则适用于 -55°C 至 125°C 的 温度范围。

TLE2144CDWR特性

  • 低噪声:10 Hz. 15 nV/√Hz, 1 kHz. 10.5 nV/√Hz
  • 10000 pF 负载能力
  • 最小 20 mA 短路输出电流
  • 最小 27 V/μs 压摆率
  • 高增益带宽积. 5.9 MHz
  • 低失调电压. 25°C 时最大 500 μV
  • 单电源或双电源. 4 V 至 44 V
  • 快速建立时间:达到 0.1% 为 340 ns, 达到 0.01% 为 400 ns
  • 饱和恢复时间. 150 ns
  • 大输出摆幅:VCC- + 0.1 V 至 VCC+
  • 1 V

TLE2144CDWR应用领域

  • 高保真音频应用
  • 快速执行器/定位驱动器
  • 低下降采样保持
  • 长电缆直接缓冲
  • 4 mA 到 20 mA 电流环路
  • 比较器

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