TLE2142IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLE2142IDR
精密运放 45V/us 双路 700nA 5.9MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
1,990
货期
现货
TLE2142IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 24+ |
| 放大器数 | 双路 |
| 双电源(Vee~Vcc) | -22V~22V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1.7uV/℃ |
| 压摆率(SR) | 45V/us |
| 输入电压噪声密度(eN) | 10.5nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 9mA |
| 输入失调电流(Ios) | 100nA |
| 功能特性 | 内置补偿； 反相位输入保护 |
| 分类 | 精密运放 |
|---|---|
| 库存 | 1,990 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 单电源电压 | 4V~44V |
| 输入失调电压(Vos) | 750uV |
| 增益带宽积(GBW) | 5.9MHz |
| 共模抑制比(CMRR) | 118dB |
| 输入偏置电流(Ib) | 800nA |
| 输出电流 | 20mA |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
TLE2142IDR概述
精密运放 45V/us 双路 700nA 5.9MHz
TLE2142IDR特性
暂无产品特性。
TLE2142IDR应用领域
暂无应用领域。