TLE2061IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLE2061IDR
FET输入运放 3.4V/us 600uV 4pA 2MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
4
货期
现货
TLE2061IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 21+ |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 4pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 65dB |
| 静态电流(Iq) | 280uA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 2MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 600uV |
| 压摆率(SR) | 3.4V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6uV/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~-3.5V； 3.5V~18V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 43nV/√Hz@1kHz |
TLE2061IDR概述
FET输入运放 3.4V/us 600uV 4pA 2MHz
TLE2061IDR特性
暂无产品特性。
TLE2061IDR应用领域
暂无应用领域。