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TLC372QDR
IC

8-SOIC

可供量大可议

TLC372QDR

比较器 开漏 5mV 4V~16V; 2V~8V 5pA SOIC-8

品牌

TI

封装

8-SOIC

库存

2,856

货期

现货

TLC372QDR参数

封装8-SOIC
品牌TI(德州仪器)
批次24+
比较器数双路
输入偏置电流(Ib)5pA
输出类型开漏
静态电流(Iq)150uA
单电源2V~18V
输入失调电流(Ios)1pA
分类比较器
库存2,856
MOQ / SPQ1 / 1
输入失调电压(Vos)1.5mV
传播延迟(tpd)200ns
输出模式MOS; CMOS; TTL
工作温度-40℃~+125℃
双电源(Vee ~ Vcc)2V~18V; -18V~-2V
功能特性ESD保护

TLC372QDR概述

比较器 开漏 5mV 4V~16V; 2V~8V 5pA SOIC-8

TLC372QDR特性

暂无产品特性。

TLC372QDR应用领域

暂无应用领域。

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