TLC372IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TLC372IDR
比较器 开漏 5mV 1.5V~8V； 3V~16V 5pA
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
1,718
货期
现货
TLC372IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 22+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA |
| 输出类型 | 开漏 |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 18V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 2V~18V； -18V~-2V |
| 响应时间(tr) | 0.2us |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 1,718 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 1.5mV |
| 传播延迟(tpd) | 200ns |
| 输出模式 | CMOS； TTL |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 单电源 | 2V~18V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 功能特性 | ESD保护 |
TLC372IDR概述
比较器 开漏 5mV 1.5V~8V； 3V~16V 5pA
TLC372IDR特性
暂无产品特性。
TLC372IDR应用领域
暂无应用领域。