TLC3702IDR
自营可供
IC
SOIC-8
TLC3702IDR
比较器 84dB 5mV 3V~16V 5pA
品牌
TI
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
两年内
TLC3702IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年内 |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 84dB |
| 输出模式 | CMOS |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 单电源 | 3V~16V |
| 响应时间(tr) | 125ns |
| 商品名称 | 推挽 CMOS 输出在没有上拉电阻的情况下驱动电容负载 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 比较器 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 2,912 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 1.2mV |
| 传播延迟(tpd) | 2.7us |
| 输出类型 | 推挽 |
| 静态电流(Iq) | 18uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 18V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 功能特性 | ESD保护 |
| 商品型号 | TLC3702IDR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000173 |
TLC3702IDR概述
比较器 84dB 5mV 3V~16V 5pA
TLC3702IDR特性
- 推挽式CMOS输出无需上拉电阻即可驱动容性负载， I₀ = ±8 mA
- 极低功耗……5 V时典型值为100 μA
- 快速响应时间……过驱动为5 mV时， tPLH典型值为2.7 μs
- 单电源供电……3 V至16 V（TLC3702M为4 V至16 V）
- 片上ESD保护