TL084QDR
IC
SOIC-14
可供量大可议
TL084QDR
FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz
品牌
TI
封装
SOIC-14
库存
622
货期
现货
TL084QDR参数
| 封装 | SOIC-14 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 23+ |
| 放大器数 | 四路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 120pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 静态电流(Iq) | 960uA |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 单电源电压 | 4.5V~40V |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V |
| 功能特性 | 短路保护； EMI滤波/RF抑制 |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 622 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 5.25MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV |
| 压摆率(SR) | 20V/us |
| 轨到轨 | 轨到轨输出 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | 2.25V~20V； -20V~-2.25V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 18nV/√Hz@1kHz |
TL084QDR概述
FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz
TL084QDR特性
暂无产品特性。
TL084QDR应用领域
暂无应用领域。