TL082IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
TL082IDR
FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
29,384
货期
现货
TL082IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年内 |
| 放大器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 30pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 86dB |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电流(Ios) | 5pA |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 29,384 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 3MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 15mV |
| 压摆率(SR) | 13V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 18uV/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~18V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 18nV/√Hz@1kHz |
| 功能特性 | 短路保护； 闩锁效应抑制 |
TL082IDR概述
FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz
TL082IDR特性
暂无产品特性。
TL082IDR应用领域
暂无应用领域。