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TL082CDR
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IC

SOIC-8

TL082CDR

FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz

品牌

TI

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

两年内

TL082CDR参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
批次两年内
放大器数双路
输入偏置电流(Ib)30pA
共模抑制比(CMRR)86dB
静态电流(Iq)1.4mA
工作温度0℃~+70℃
输入电压噪声密度(eN)18nV/√Hz@1kHz
功能特性短路保护; 闩锁效应抑制
商品型号TL082CDR
单位个
商品重量0.000173
分类FET输入运放
库存77,928
MOQ / SPQ1 / 1
增益带宽积(GBW)3MHz
输入失调电压(Vos)3mV
压摆率(SR)13V/us
输入失调电压温漂(Vos TC)18uV/℃
双电源电压(Vee~Vcc)-15V~15V
输入失调电流(Ios)5pA
商品名称JFET 输入运算放大器
包装方式编带
商品类型FET输入运放

TL082CDR概述

FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz

TL082CDR特性

  • 低功耗:典型值为1.4 mA/通道
  • 宽共模和差分电压范围
  • 低输入偏置电流:典型值为30 pA
  • 低输入失调电流:典型值为5 pA
  • 输出短路保护
  • 低总谐波失真:典型值为0.003%
  • 高输入阻抗:JFET输入级
  • 无闭锁运行
  • 高转换速率:典型值为13 V/μs
  • 共模输入电压范围包含VCC+

TL082CDR应用领域

  • 平板电脑
  • 白色家电
  • 个人电子产品
  • 计算机

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