TL081BCDR
IC
8-SOIC
可供量大可议
TL081BCDR
FET输入运放 13V/us 2mV 30pA 3MHz SOIC-8
品牌
TI
封装
8-SOIC
库存
932
货期
现货
TL081BCDR参数
| 封装 | 8-SOIC |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 22+ |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 300pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 静态电流(Iq) | 940uA |
| 输出电流 | 26mA |
| 单电源 | 4.5V~40V |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V |
| 输入失调电流(Ios) | 100pA |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 932 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 5.25MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV |
| 压摆率(SR) | 20V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 2.25V~20V； -20V~-2.25V |
| 噪声密度(eN) | 18nV/√Hz@1kHz |
TL081BCDR概述
FET输入运放 13V/us 2mV 30pA 3MHz SOIC-8
TL081BCDR特性
暂无产品特性。
TL081BCDR应用领域
暂无应用领域。