TL062IDT
IC
SO-8
可供量大可议
TL062IDT
FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz
品牌
ST
封装
SO-8
库存
9,958
货期
现货
TL062IDT参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 放大器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 30pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 86dB |
| 静态电流(Iq) | 200uA |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电流(Ios) | 5pA |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 9,958 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV |
| 压摆率(SR) | 3.5V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ |
| 单电源电压 | 6V~36V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 42nV/√Hz@1kHz |
| 功能特性 | 短路保护； 内置补偿； 闩锁效应抑制 |
TL062IDT概述
FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz
TL062IDT特性
暂无产品特性。
TL062IDT应用领域
暂无应用领域。