TL032IDR
IC
8-SOIC
可供量大可议
TL032IDR
FET输入运放 5.1V/us 570uV 2pA 1.1MHz SOIC-8
品牌
TI
封装
8-SOIC
库存
7,332
货期
现货
TL032IDR参数
| 封装 | 8-SOIC |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年外 |
| 放大器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 2pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 87dB |
| 静态电流(Iq) | 250uA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 30V |
| 输入失调电流(Ios) | 100pA |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 7,332 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 1.1MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 570uV |
| 压摆率(SR) | 5.1V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6.5uV/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -15V~15V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 41nV/√Hz@1kHz |
TL032IDR概述
FET输入运放 5.1V/us 570uV 2pA 1.1MHz SOIC-8
TL032IDR特性
暂无产品特性。
TL032IDR应用领域
暂无应用领域。