TK9J90E, S1E
IC
TO-3P(N)
可供量大可议
TK9J90E, S1E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-3P(N)
库存
2,598
货期
现货
TK9J90E, S1E参数
| 封装 | TO-3P(N) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2598 |
TK9J90E, S1E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。 应用：开关稳压器
TK9J90E, S1E特性
暂无产品特性。
TK9J90E, S1E应用领域
暂无应用领域。