TK8A65D(STA4, X, M)
IC
ITO-220S-3
可供量大可议
TK8A65D(STA4, X, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌
TOSHIBA
封装
ITO-220S-3
库存
422
货期
现货
TK8A65D(STA4, X, M)参数
| 封装 | ITO-220S-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 422 |
TK8A65D(STA4, X, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK8A65D(STA4, X, M)特性
暂无产品特性。
TK8A65D(STA4, X, M)应用领域
暂无应用领域。