TK8A65D(STA4, Q, M)
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK8A65D(STA4, Q, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向转移导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。 增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
402
货期
现货
TK8A65D(STA4, Q, M)参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 402 |
TK8A65D(STA4, Q, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向转移导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。 增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
TK8A65D(STA4, Q, M)特性
暂无产品特性。
TK8A65D(STA4, Q, M)应用领域
暂无应用领域。