TK8A50D(STA4, X, M)
IC
TO-220
可供量大可议
TK8A50D(STA4, X, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
2,393
货期
现货
TK8A50D(STA4, X, M)参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2393 |
TK8A50D(STA4, X, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK8A50D(STA4, X, M)特性
暂无产品特性。
TK8A50D(STA4, X, M)应用领域
暂无应用领域。