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TK750A60F, S4X(S
IC

TO-220SIS

可供量大可议

TK750A60F, S4X(S

特性:易于控制栅极开关。 低漏源导通电阻:RD(ON) = 0.62Ω(典型值)。 增强模式:VHA = 2 至 4V(VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用:开关电源

品牌

TOSHIBA

封装

TO-220SIS

库存

1,773

货期

现货

TK750A60F, S4X(S参数

封装TO-220SIS
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1773

TK750A60F, S4X(S概述

特性:易于控制栅极开关。 低漏源导通电阻:RD(ON) = 0.62Ω(典型值)。 增强模式:VHA = 2 至 4V(VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用:开关电源

TK750A60F, S4X(S特性

暂无产品特性。

TK750A60F, S4X(S应用领域

暂无应用领域。

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