TK6Q60W-VB
IC
TO-251
可供量大可议
TK6Q60W-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 适用于SJ_Multi-EPI技术， 适用于高压和高电流应用。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
20
货期
现货
TK6Q60W-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
TK6Q60W-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 适用于SJ_Multi-EPI技术， 适用于高压和高电流应用。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
TK6Q60W-VB特性
暂无产品特性。
TK6Q60W-VB应用领域
暂无应用领域。