TK6A80E, S4X(S
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK6A80E, S4X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
4,997
货期
现货
TK6A80E, S4X(S参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4997 |
TK6A80E, S4X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。 应用：开关稳压器
TK6A80E, S4X(S特性
暂无产品特性。
TK6A80E, S4X(S应用领域
暂无应用领域。