TK6A60D
IC
TO-220F-3
可供量大可议
TK6A60D
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 3.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关调节器应用
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220F-3
库存
3
货期
现货
TK6A60D参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
TK6A60D概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 3.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关调节器应用
TK6A60D特性
暂无产品特性。
TK6A60D应用领域
暂无应用领域。