TK65E10N1, S1X
IC
TO-220
可供量大可议
TK65E10N1, S1X
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VtA = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
49
货期
现货
TK65E10N1, S1X参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
TK65E10N1, S1X概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VtA = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。 应用：开关稳压器
TK65E10N1, S1X特性
暂无产品特性。
TK65E10N1, S1X应用领域
暂无应用领域。