TK65A10N1, S4X(S
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK65A10N1, S4X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
498
货期
现货
TK65A10N1, S4X(S参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 498 |
TK65A10N1, S4X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。 应用：开关稳压器
TK65A10N1, S4X(S特性
暂无产品特性。
TK65A10N1, S4X(S应用领域
暂无应用领域。