TK5R1P08QM, RQ
IC
DPAK
可供量大可议
TK5R1P08QM, RQ
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 17 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 66 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 4.2 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。 增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.7 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
50
货期
现货
TK5R1P08QM, RQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
TK5R1P08QM, RQ概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 17 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 66 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 4.2 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。 增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.7 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
TK5R1P08QM, RQ特性
暂无产品特性。
TK5R1P08QM, RQ应用领域
暂无应用领域。